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硅碳棒的使用热应力和阻抗分析

硅碳棒的使用热应力和阻抗分析

发布日期:2019-01-15 作者: 点击:

    关于硅碳棒的使用热应力和阻抗分析的文章在之前已经给大家很好的介绍过了,但是最近还是有很多客户询问这方面的内容,因此今天就此再来给大家详细的介绍下硅碳棒的使用热应力和阻抗分析。

硅碳棒.png

    一、硅碳棒热应力


    当温度发生变化时,物体由于外在约束以及内部各部分之间的相互约束,使其不能完全自由膨胀收缩而产生的应力叫做热应力,又叫做变温应力。


    热应力在硅碳棒中是什么样子的。首先把硅碳棒看做是圆柱形的(硅碳棒实际上为空心圆柱,同样是为了方便描述和理解),在升温时,由于外部接触温度比较低的炉内气氛,所以外部的温度要稍微低一些,而内部温度相对较高,因此内部产生的膨胀力比外部产生的膨胀力要大,这个时候就产生了热应力,内部撑着外部想要膨胀。


    二、硅碳棒的阻抗分析


    由于采用高纯H:作阳极气体,阳极极化可以忽略,EIS的变化可以认为全是由阴极杂质气体的引入带来的。


    与频率无关的总欧姆阻抗,是硅碳棒各部分欧姆阻抗之和,包括膜、催化层、气体扩散层(GDL)、流场、端板的电阻和它们之间的接触电阻。由图8可以看到,通入不同浓度杂质气体之后的硅碳棒,与通入纯净空气的硅碳棒欧姆阻抗几乎一致,均在16-18mW之间。而通入SOZ后,图中圆弧的半径增大非常明显,说明电化学阻抗的增加主要不是由欧姆阻抗的变化引起的。


    这个近似于半圆的弧,是与阴极双电层充电过程的电容C和电荷传递阻抗R相关的。总的说来,当SO:通入以后,硅碳棒的电化学阻抗增大,硅碳棒性能卜降。阴极SOZ气体会造成催化剂中毒导致硅碳棒性能h降,且浓度越大,硅碳棒性能卜降越明显。SOZ会在电极上产生吸附,当吸附与脱附速率达到平衡时,硅碳棒电压卜降到一个平台区。


    在降温时,外部由于接触炉内气氛降温较快,内部降温较慢,此时外部想要急剧收缩而内部却收缩的没那么快,这就也产生了热应力。硅碳棒硅钼棒由于是逐渐升温降温,并且强度要比玻璃大得多,因此不会像玻璃一样炸裂,但是也会产生一定影响,比如说表面的二氧化硅保护膜破裂。


    怎么样,看了今天的文章,是不是对于硅碳棒的阻抗分析和热应力分析有了很清晰的认识呢,如果大家还有其他方面的问题,也欢迎来电咨询我们淄博华岩电热元件有限公司,我们将竭诚为大家服务。


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关键词:硅碳棒

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